Чүпрәле каплау energyгары энергияле кисәкчәләр каты өслекне бомбага тотканда, каты өслектәге кисәкчәләр энергия ала һәм субстратка салынган өслектән кача ала.Чәчү күренеше 1870-нче елда каплау технологиясендә кулланыла башлады, һәм 1930-нчы елдан соң сәнәгать производствосында кулланыла башлады.Гадәттә кулланылган ике полюслы бөтерелү җиһазлары 3 нче рәсемдә күрсәтелгән [Ике вакуум каплау полюсының схематик схемасы].Гадәттә, урнаштырылырга тиешле материал тәлинкәгә ясала, ул катодка куелган.Субстрат максатка берничә сантиметр ераклыкта урнашкан анодка урнаштырылган.Система югары вакуумга суырылганнан соң, ул 10 ~ 1 Па газ белән тутырыла (гадәттә аргон), һәм катод белән анод арасында берничә мең вольт көчәнеше кулланыла, һәм ике электрод арасында ялтыравык чыгару барлыкка килә. .Агызу аркасында барлыкка килгән уңай ионнар катодка электр кыры тәэсирендә очалар һәм максат өслегендәге атомнар белән бәрелешәләр.Бәрелеш аркасында максат өслегеннән кача торган атомнар атылучы атом дип атала, һәм аларның энергиясе 1 - дистәләрчә электрон вольт диапазонында.Бөтерелгән атомнар фильм формалаштыру өчен субстрат өслегенә салынган.Парлану каплавыннан аермалы буларак, спуттер каплау кино материалының эрү ноктасы белән чикләнми, һәм W, Ta, C, Mo, WC, TiC һ.б. кебек отрядлы матдәләрне таркатырга мөмкин. ысулы, ягъни реактив газ (O, N, HS, CH һ.б.)
Ар газына кушылды, һәм реактив газ һәм аның ионнары максат атомы яки бөтерелгән атом белән реакция ясыйлар (оксид, азот кебек кушылмалар һ.б.) һәм субстратка урнаштыралар.Изоляцион пленканы урнаштыру өчен югары ешлыктагы бөтерелү ысулы кулланылырга мөмкин.Субстрат җир асты электродына, һәм изоляцион максат каршы электродка куелган.Highгары ешлыктагы электр белән тәэмин итүнең бер очын җиргә салалар, бер очын туры килүче челтәр һәм DC блоклау конденсаторы аша изоляцион максат белән җиһазландырылган электродка тоташтыралар.Frequгары ешлыклы электр тәэминатын кабызганнан соң, югары ешлыктагы көчәнеш өзлексез полярлыгын үзгәртә.Плазмадагы электроннар һәм уңай ионнар, уңай ярым циклда һәм көчәнешнең тискәре ярты циклында, изоляцион максатка сугалар.Электрон хәрәкәте уңай ионнарныкыннан югарырак булганлыктан, изоляцион максатның өслеге тискәре корылган.Динамик тигезлеккә ирешкәч, максат тискәре тискәре потенциалда була, шуңа күрә уңай ионнар максатка таралалар.Магнетрон бөтерелүен куллану, магнитрон булмаган бөтерелү белән чагыштырганда, зурлык тәртибенә диярлек арту дәрәҗәсен арттырырга мөмкин.
Пост вакыты: 31-2021 июль