Парлану каплавы: Каты өслеккә урнаштыру өчен билгеле бер матдәне җылытып һәм парга әйләндереп, ул парга әйләнү дип атала.Бу ысул беренче тапкыр М.Фарадай тарафыннан 1857-нче елда тәкъдим ителгән, һәм ул шуларның берсенә әверелде
хәзерге вакытта еш кулланыла торган каплау техникасы.Парлану җиһазларының структурасы 1 нче рәсемдә күрсәтелгән.
Металл, кушылмалар һ.б. кебек парга әйләнгән матдәләр критикка урнаштырыла яки парга әйләнү чыганагы итеп кайнар чыбыкка эленәләр, һәм металл, керамика, пластмасса һәм башка субстратлар кебек капланган эш кисәге алгы урынга куела. хач.Система югары вакуумга эвакуацияләнгәннән соң, эчтәлекне парга әйләндерү өчен кристалл җылытыла.Парланган матдәнең атомнары яки молекулалары субстрат өслегендә конденсацияләнгән рәвештә урнаштырыла.Фильмның калынлыгы йөзләгән ангстромнан берничә микронга кадәр булырга мөмкин.Фильмның калынлыгы парга әйләнү тизлеге һәм парга әйләнү вакыты (яки йөкләү күләме) белән билгеләнә, һәм чыганак белән субстрат арасы белән бәйле.Зур мәйданлы капламалар өчен кино калынлыгының бердәмлеген тәэмин итү өчен еш әйләнүче субстрат яки күп парлану чыганаклары кулланыла.Парлану чыганагыннан субстратка кадәр булган ара калдыклы газдагы пар молекулаларының уртача ирекле юлыннан ким булырга тиеш, пар молекулаларының калдык газ молекулалары белән бәрелешү химик эффект тудырмасын өчен.Пар молекулаларының уртача кинетик энергиясе якынча 0,1 - 0,2 электрон вольт.
Парлану чыганакларының өч төре бар.
He Каршылык җылыту чыганагы: Вольфрам һәм тантал кебек отрядлы металлларны көймә фольгасы яки филамент ясау өчен кулланыгыз, һәм парланган матдәне аның өстендә яки кристаллда җылыту өчен электр токын кулланыгыз (1 нче рәсем [Парлану җиһазларының схематик схемасы] вакуум каплау) Каршылык җылыту чыганак, нигездә, Cd, Pb, Ag, Al, Cu, Cr, Au, Ni кебек материалларны парга әйләндерү өчен кулланыла;
Igh ighгары ешлыклы индукция җылыту чыганагы: критик һәм парлану материалын җылыту өчен югары ешлыклы индукция токын кулланыгыз;
E Электрон нурларын җылыту чыганагы: кулланыла торган югары парлану температурасы булган материаллар өчен (2000 [618-1] ким түгел), материалны электрон нурлар белән бомбалау белән парланалар.
Башка вакуум каплау ысуллары белән чагыштырганда, парга әйләнү катламы зуррак, һәм башлангыч һәм термик бозылмаган катнаш фильмнар белән капланырга мөмкин.
Purгары чисталыклы бер кристалл пленка урнаштыру өчен молекуляр нур эпитаксы кулланырга мөмкин.Күчерелгән GaAlAs бер кристалл катламын үстерү өчен молекуляр нур эпитакси җайланмасы 2 нче рәсемдә күрсәтелгән [Молекуляр нур эпитакс җайланмасы вакуум каплау схематик схемасы].Реактив мич молекуляр нур чыганагы белән җиһазландырылган.Ультра югары вакуум астында билгеле бер температурада җылытылганда, мичтәге элементлар субстратка нур кебек молекуляр агымда чыгарыла.Субстрат билгеле бер температурада җылытыла, субстратка салынган молекулалар күченә ала, һәм кристалллар субстрат кристалл тактасы тәртибендә үсә.Молекуляр нур эпитаксы кулланырга мөмкин
кирәкле стохиометрик катнашу белән югары чисталыклы кушылма бер кристалл пленка алыгыз.Фильм иң әкрен үсә Тизлекне 1 катламда / секундта контрольдә тотарга мөмкин.Бәйләнешне контрольдә тотып, кирәкле композиция һәм структурасы булган бер кристалл пленка төгәл ясалырга мөмкин.Молекуляр нур эпитаксы төрле оптик интеграль җайланмалар һәм төрле суперлатица структурасы фильмнары җитештерү өчен киң кулланыла.
Пост вакыты: 31-2021 июль